钽化合物及其制造方法、含钽薄膜及其形成方法
专利权的终止
摘要
本发明提供新型钽化合物及其制备方法，所述钽化合物可以分别形成不含卤素的含钽薄膜和含有目标元素的含钽薄膜。此外，还提供稳定形成含目标元素的含钽薄膜的方法。本发明涉及下述通式(1)(式中，R1表示碳原子数为2～6的直链状烷基)、或下述通式(2)(式中，R2表示碳原子数为2～6的直链状烷基)表示的钽化合物，及其制备方法。此外，本发明还涉及以下述通式(6)(其中，j、k、m和n为满足j+k＝5、m+n＝5的1～4的整数，R3～R6为氢原子、碳原子数为1～6的烷基等)表示的钽化合物作为原料，形成含钽薄膜的方法。
基本信息
专利标题 ：
钽化合物及其制造方法、含钽薄膜及其形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101111502A
申请号 ：
CN200680003625.7
公开（公告）日 ：
2008-01-23
申请日 ：
2006-01-25
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
关本谦一多田贤一高森真由美山川哲古川泰志大岛宪昭
申请人 ：
东曹株式会社;财团法人相模中央化学研究所
申请人地址 ：
日本山口县
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
张平元
优先权 ：
CN200680003625.7
主分类号 ：
C07F9/00
IPC分类号 ：
C07F9/00 C07F17/00 C23C16/30
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C07
有机化学
C07F
含除碳、氢、卤素、氧、氮、硫、硒或碲以外的其他元素的无环，碳环或杂环化合物
C07F9/00
含周期表第5或15族元素的化合物
法律状态
2019-01-11 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : C07F 9/00
申请日 : 20060125
授权公告日 : 20110615
终止日期 : 20180125
申请日 : 20060125
授权公告日 : 20110615
终止日期 : 20180125
2011-06-15 ：
授权
2008-03-12 ：
实质审查的生效
2008-01-23 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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