烷氧基化合物、薄膜形成用原料和薄膜的制造方法

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摘要

本发明的烷氧基化合物由下述通式(I)表示。本发明的烷氧基化合物是在液体的状态下可以输送且蒸汽压大而易于气化的铁化合物，特别地，可以实现组成控制性优异的薄膜的制造，适合于通过CVD法制造多成分薄膜的情况。式中，R¹和R²分别独立地表示氢原子或者碳原子数为1－4的烷基，R³和R⁴表示碳原子数为1－4的烷基，A表示碳原子数为1－8的亚烷基。

基本信息

专利标题：

烷氧基化合物、薄膜形成用原料和薄膜的制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101065349A

申请号：

CN200580036149.4

公开（公告）日：

2007-10-31

申请日：

2005-10-05

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

山田直树樱井淳

申请人：

株式会社艾迪科

申请人地址：

日本东京都

代理机构：

永新专利商标代理有限公司

代理人：

陈建全

优先权：

CN200580036149.4

主分类号：

C07C215/08

IPC分类号：

C07C215/08 H01L21/312 H01L21/822 H01L27/04 H01L29/78 C23C16/40 C07F15/02