一种原位生长制备半导体纳米管的方法

专利权的终止

摘要

一种制备半导体纳米管的方法，不必借助模板，能够在不同基底上原位生长出晶化程度良好的半导体纳米管，包括步骤：1)将镀有金属薄膜的基底或金属箔放入可抽真空的容器中，抽真空后输入惰性气体和反应性气体的混合气，所述的反应性气体是能够和金属反应合成半导体的气体；2)引入低温等离子体使反应性气体生成活性物种，同时将基底或金属箔的温度维持在一范围内使半导体纳米管生长，所述的温度范围不低于200℃，不高于该基底上的金属薄膜或金属箔的熔点以上200℃，所述的半导体的阳离子来自金属箔或金属薄膜，阴离子来自反应性气体；3)保持混合气的输入，直至反应进行完全后结束。

基本信息

专利标题：

一种原位生长制备半导体纳米管的方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101008106A

申请号：

CN200610002680.6

公开（公告）日：

2007-08-01

申请日：

2006-01-27

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

张耀华郑捷宋旭波李星国

申请人：

北京大学

申请人地址：

100871北京市海淀区颐和园路5号

代理机构：

北京君尚知识产权代理事务所

代理人：

陈美章

优先权：

CN200610002680.6

主分类号：

C30B29/62

IPC分类号：

C30B29/62