本申请公开一种半导体处理设备及目标物生长的加热方法，能够优化制备的目标物的质量，减少目标物中的缺陷。半导体处理设备包括：反应腔室，包括在反应腔室轴向上依次设置的第一端和第二端，且目标物形成于第一端；加热模块，包括：第一加热器，设置在第一端上方，并至少具有沿目标物的第一生长方向分布的热辐射面；第二加热器，设置在第一端侧面，并至少具有沿目标物的第二生长方向分布的热辐射面；第三加热器，设置在第二端下方，并至少具有沿目标物的第二生长方向分布的热辐射面；第四加热器，设置在第二端侧面，并至少具有沿目标物的第一生长方向分布的热辐射面；第一加热器、第二加热器、第三加热器以及第四加热器的加热功率相互独立。