一种碳化硅外延生长用加热器旋转装置
专利权的终止
摘要

一种碳化硅外延生长用加热器旋转装置,包含一中央转动装置,该装置包括:一石墨托盘,为一盘状;一石墨支撑杆;一传动轴杆,上端与石墨支撑杆连接;一支撑管;一支撑件,上端与支撑管连接;一支撑座,与支撑件连接;一联轴器,其上端与传动轴杆插接连接;一中心调节器,为一筒状,两端具有法兰;一三通排气管,位于中央转动装置上的支撑座上,中央转动装置穿过该三通排气管的两端,该三通排气管通过法兰与中心调节器连接;一石英管反应生长室,石英管反应生长室罩扣于中央转动装置,并与三通排气管固定;一磁力旋转装置,位于中心调节器的下方,通过传动轴与中央转动装置的联轴器连接。

基本信息
专利标题 :
一种碳化硅外延生长用加热器旋转装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN200720103516.4
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2007-02-07
授权号 :
CN200999271Y
授权日 :
2008-01-02
发明人 :
孙国胜王雷赵万顺李家业赵永梅刘兴昉
申请人 :
中国科学院半导体研究所
申请人地址 :
100083北京市海淀区清华东路甲35号
代理机构 :
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 :
汤保平
优先权 :
CN200720103516.4
主分类号 :
C30B25/10
IPC分类号 :
C30B25/10  C30B29/36  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B25/00
反应气体化学反应法的单晶生长,例如化学气相沉积生长
C30B25/02
外延层生长
C30B25/10
反应室或衬底的加热
法律状态
2010-08-04 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101004352067
IPC(主分类) : C30B 25/10
专利号 : ZL2007201035164
申请日 : 20070207
授权公告日 : 20080102
2008-01-02 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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