包括加热器的锭生长装置及锭生长装置用加热器的制造方法
实质审查的生效
摘要

本发明公开锭生长装置。本发明一实施方式的包括加热器的锭生长装置可包括:坩埚,用于收容熔融硅;生长炉,具备用于设置上述坩埚的内部空间;基座,以包围上述坩埚的外侧面的方式形成与上述坩埚的外侧面相对应的形状;以及加热器,用于对上述基座进行加热,上述加热器可包括:线圈,固定于从上述基座的外侧面隔开规定间隔的位置,通过沿着上述基座的外侧面卷绕来产生磁场,借助由上述磁场产生的电磁感应来对上述基座进行加热;以及外罩,通过以包围上述线圈的外侧面的方式形成来支撑上述线圈,用于阻断上述线圈向上述生长炉的内部空间露出。

基本信息
专利标题 :
包括加热器的锭生长装置及锭生长装置用加热器的制造方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114277432A
申请号 :
CN202011412800.6
公开(公告)日 :
2022-04-05
申请日 :
2020-12-03
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
全韩雄李京锡李英俊
申请人 :
韩华思路信
申请人地址 :
韩国首尔
代理机构 :
北京派特恩知识产权代理有限公司
代理人 :
陈万青
优先权 :
CN202011412800.6
主分类号 :
C30B15/18
IPC分类号 :
C30B15/18  C30B29/06  H05B6/24  H05B6/40  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长,例如Czochralski法
C30B15/14
熔融液或已结晶化材料的加热
C30B15/18
除其他加热方法以外用直接电阻加热法,例如使用珀尔帖加热的
法律状态
2022-04-22 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 15/18
申请日 : 20201203
2022-04-05 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
  • 联系电话
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 联系 Q Q
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 关注微信
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 收藏
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332