用于半导体单晶生长中的温度控制的系统和方法
授权
摘要
一种用于半导体单晶生长的温度控制系统和方法，包括：图像采集装置，用于捕获固液界面处生长的晶棒的棱线的图像，从而确定所述界面处所述棱线的宽度；加热装置，用于对坩埚加热；以及温控装置，用于对所述加热装置的加热功率进行控制，其中所述温控装置根据所述棱线宽度来对所述加热装置进行功率控制。根据本发明的温度控制系统和方法可显著地减少生长的半导体单晶的缺陷，并且可帮助降低生产成本、提高生产效率等。
基本信息
专利标题 ：
用于半导体单晶生长中的温度控制的系统和方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112080793A
申请号 ：
CN201911346042.X
公开（公告）日 ：
2020-12-15
申请日 ：
2019-12-24
授权号 ：
CN112080793B
授权日 ：
2022-06-03
发明人 ：
薛抗美刘林艳高海棠
申请人 ：
徐州鑫晶半导体科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省徐州市经济开发区鑫芯路1号
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
孙鹏
优先权 ：
CN201911346042.X
主分类号 ：
C30B15/20
IPC分类号 ：
C30B15/20 C30B15/14 C30B29/06
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
C30B15/20
控制或调节
法律状态
2022-06-03 ：
授权
2021-01-01 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 15/20
申请日 : 20191224
申请日 : 20191224
2020-12-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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