用于单晶生长装置的结晶区温度梯度调节器
专利权的终止
摘要

一种用于单晶生长装置的结晶区温度梯度调节器,由保温隔热材料制作的座板和保温隔热材料制作的动板组成;座板上设置有一底部为平面的凹槽,凹槽的中心部位开设有大于坩埚套外径的通孔I,凹槽的环面上开设有调温孔I;动板的形状和径向尺寸与座板上设置的凹槽相匹配,动板中心部位开设有与通孔I尺寸相同的通孔II,动板环面上开设有调温孔II,调温孔II与调温孔I形状、尺寸、数量、间距相同;动板放置在座板所设置的凹槽中,其与凹槽为动配合,座板固定在坩埚下降法单晶生长装置炉体上。此种调节器结构简单,使用方便,调节单晶生长炉结晶区温度梯度时灵敏度高,使结晶区温度梯度可在大范围内调整,易于获得窄温区、大温梯的温场分布。

基本信息
专利标题 :
用于单晶生长装置的结晶区温度梯度调节器
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN200820062849.1
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2008-04-10
授权号 :
CN201212066Y
授权日 :
2009-03-25
发明人 :
赵北君朱世富何知宇陈宝军唐世红王立苗
申请人 :
四川大学
申请人地址 :
610065四川省成都市一环路南一段24号
代理机构 :
成都科海专利事务有限责任公司
代理人 :
黄幼陵
优先权 :
CN200820062849.1
主分类号 :
C30B11/00
IPC分类号 :
C30B11/00  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B11/00
正常凝固法或温度梯度凝固法的单晶生长,例如晶体生长坩埚下降法Bridgman-Stockbarger法
法律状态
2011-06-15 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101079123608
IPC(主分类) : C30B 11/00
专利号 : ZL2008200628491
申请日 : 20080410
授权公告日 : 20090325
终止日期 : 20100410
2009-03-25 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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