一种半导体生长炉用调节控制系统及其调节方法
实质审查的生效
摘要

本发明公开了一种半导体生长炉用调节控制系统及其调节方法,包括第一支架,第一支架的一端表面固定连接有第二支架,第一支架的上端表面位于一端边缘处固定安装有承载座,承载座的上端表面设置有炉盖,炉盖的底端表面固定连接有炉体,本发明涉及半导体生长炉结构技术领域。本发明所述的一种半导体生长炉用调节控制系统及其调节方法,通过设置的第一支架组件结构,可方便吊起炉盖结构,以方便使用者往炉体中添加固定半导体材料,同时可方便对炉体内部装置结构进行检修或清洗,通过设置的第二支架组件结构,可方便在装置使用过程中吊起连接绳查看和收集产物,通过设置的炉体结构,其保温效果良好,升温速度块,可提升半导体生长速率。

基本信息
专利标题 :
一种半导体生长炉用调节控制系统及其调节方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114540939A
申请号 :
CN202210079677.3
公开(公告)日 :
2022-05-27
申请日 :
2022-01-24
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
吴学军马玉怀马彦新
申请人 :
杭州中欣晶圆半导体股份有限公司;宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
申请人地址 :
浙江省杭州市钱塘新区东垦路888号
代理机构 :
杭州融方专利代理事务所(普通合伙)
代理人 :
沈相权
优先权 :
CN202210079677.3
主分类号 :
C30B15/20
IPC分类号 :
C30B15/20  C30B29/06  C30B15/00  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长,例如Czochralski法
C30B15/20
控制或调节
法律状态
2022-06-14 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 15/20
申请日 : 20220124
2022-05-27 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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