生长炉
公开
摘要
本发明提供一种生长炉，包括：炉体、壳体、保温组件以及冷却组件；所述炉体包括加热模块和保温模块，所述保温模块套设于所述壳体的内侧，所述加热模块套设于所述保温模块的内侧；所述保温组件和所述冷却组件均设于所述壳体的外壁；所述保温组件用于向所述壳体传递热量，所述冷却组件用于向所述壳体的外侧散失热量。本发明的生长炉，炉体处于升温和恒温状态时，保温组件向壳体传递热量，使得壳体维持在预设温度，可以有效避免环境温度波动对炉体的影响，保障炉体内部温度场的稳定性；炉体处于降温状态时，冷却组件启动，冷却组件与炉体进行热交换，加快炉体内的热量向外部环境散失，提高炉体的散热效率，使得炉体具有高保温性和高散热性。
基本信息
专利标题 ：
生长炉
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114561688A
申请号 ：
CN202210138645.6
公开（公告）日 ：
2022-05-31
申请日 ：
2022-02-15
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王苗杨帆王涛贾宁波杨梅孙晓龙席守智汤三奇介万奇
申请人 ：
陕西迪泰克新材料有限公司
申请人地址 ：
陕西省咸阳市西咸新区秦汉新城周陵新兴产业园区天工一路东段8号-1
代理机构 ：
北京路浩知识产权代理有限公司
代理人 ：
吕伟盼
优先权 ：
CN202210138645.6
主分类号 ：
C30B11/00
IPC分类号 ：
C30B11/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B11/00
正常凝固法或温度梯度凝固法的单晶生长，例如晶体生长坩埚下降法Bridgman-Stockbarger法
法律状态
2022-05-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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