一种Mg-Bi基层状体块晶体材料及其生长方法
授权
摘要
本发明提供了一种Mg‑Bi基层状体块晶体材料及其生长方法。所述的晶体材料的晶体结构为Mg3Bi2构型，呈现页岩状形貌；其生长方法包括步骤：在真空或惰性气氛保护下，将空置的生长晶体的非金属坩埚加热至预定温度；将熔化的Mg‑Bi基晶体生长原料液注入加热至预定温度的非金属坩埚中，通过坩埚下降法或籽晶定向生长方法进行晶体的生长，得到Mg‑Bi基层状体块晶体材料。本发明的生长方法工艺简单、成本低廉、可放大制备晶体，采用本发明生长方法得到的Mg‑Bi基体块晶体材料具有大尺寸，高质量以及规则的层状结构，在室温附近表现出优异的热电性能，可直接应用于热电器件制备。
基本信息
专利标题 ：
一种Mg-Bi基层状体块晶体材料及其生长方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113235167A
申请号 ：
CN202110469653.4
公开（公告）日 ：
2021-08-10
申请日 ：
2021-04-28
授权号 ：
CN113235167B
授权日 ：
2022-05-10
发明人 ：
夏盛清王琦琦刘小村
申请人 ：
山东大学
申请人地址 ：
山东省济南市历城区山大南路27号
代理机构 ：
济南金迪知识产权代理有限公司
代理人 ：
王素平
优先权 ：
CN202110469653.4
主分类号 ：
C30B29/52
IPC分类号 ：
C30B29/52 C30B11/00 C30B11/02 C30B28/06 H02N11/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
C30B29/52
合金
法律状态
2022-05-10 ：
授权
2021-08-27 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 29/52
申请日 : 20210428
申请日 : 20210428
2021-08-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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