本实用新型公开了一种半导体硅材料耗材生长炉。生长炉包括炉体、位于炉体内的隔热屏、加热装置、坩埚。坩埚被可升降的坩埚轴支撑，通过下降坩埚及坩埚轴，通过坩埚轴和下隔热屏的位置配合，造成坩埚底部中心过冷的方式，避免提升加热器或隔热屏的方式，使坩埚上方的热场件产生运动，造成附着的沉积物散落进坩埚，提高了晶体纯度。坩埚底部中心过冷的方式配合多段加热器营造的热场环境，不仅可以维持固液生长界面相对加热器的高度位置不变，保证生长界面处热环境的稳定，还可以形成由固体凸向液体的生长界面，便于结晶过程中排杂，提高晶体纯度。