一种半导体用复合层生长槽
授权
摘要
本实用新型公开了一种半导体用复合层生长槽，包括主体机构和支撑机构，主体机构的下端设置有支撑机构，筒体的内部设置有活动槽，活动槽的内部设置有盛放槽，盛放槽通过活动槽与筒体活动连接，采用抽屉式拿取法，使得在对原材料的拿取上变得更加简单方便，减少原材料与工作人员的肢体相接触的机会，也就间接减少了原材料受外界环境污染的概率，确保原材料的质量不受影响，且筒体的内壁上固定安装有保护壁，保护壁为一种玻璃纤维材料制成的构件，且厚度为3mm‑5mm，其具有良好的隔热性能，使得外界的热量难以传递进来，提高生长质量。
基本信息
专利标题 ：
一种半导体用复合层生长槽
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021382047.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-07-14
授权号 ：
CN212669791U
授权日 ：
2021-03-09
发明人 ：
卢荣贵
申请人 ：
东莞市伟腾半导体科技有限公司
申请人地址 ：
广东省东莞市东城街道东泰社区阳光澳园南街B35商铺
代理机构 ：
东莞市神州众达专利商标事务所(普通合伙)
代理人 ：
刘汉民
优先权 ：
CN202021382047.6
主分类号 ：
C23C16/44
IPC分类号 ：
C23C16/44 H01L21/365
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
法律状态
2021-03-09 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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