一种石墨烯异质结基底转移装置
授权
摘要
本实用新型属于石墨烯晶体管制造领域，具体公开了一种石墨烯异质结基底转移装置，包括一个密闭的转移室，所述转移室包括刻蚀室和储藏室；所述刻蚀室与所述储藏室水平相邻设置；所述刻蚀室与所述储藏室相邻壁上开设有连通所述刻蚀室和所述储藏室的第一通孔；所述刻蚀室盛放用于刻蚀所述第一基底的第一溶液和/或用于稀释所述第一溶液的第二溶液；所述储藏室存放第二基底，所述第二基底从所述储藏室通过所述第一通孔进入所述刻蚀室，用于在所述第一基底被刻蚀后与所述石墨烯异质结贴合。本实用新型能够克服现有技术中石墨烯异质结原基底的剥离以及与所需基底贴合需要转换操作环境引起的工艺流程复杂、石墨烯异质结易变形的缺点。
基本信息
专利标题 ：
一种石墨烯异质结基底转移装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921114201.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-07-16
授权号 ：
CN210110726U
授权日 ：
2020-02-21
发明人 ：
孔伟成赵勇杰
申请人 ：
合肥本源量子计算科技有限责任公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市合肥市高新区创业产业园二期E2栋6层
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN201921114201.9
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H01L29/16 H01L29/165 H01L29/225 C23C16/26 C23C16/30 C23C16/44
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2020-02-21 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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