基底处理装置
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摘要
一种在用于有机发光二极管的基底上形成薄层的基底处理装置，该装置包括掩模安装室、沉积室和掩模拆卸室。所述掩模安装室、沉积室和掩模拆卸室的内部安装有传送导轨，而且，用于支撑基底的基底支架沿着传送导轨在这些室内或这些室之间移动。因此，缩短了用于处理基底的时间，并减小了上述装置所占的面积。另外，将上述这些室分成一个或多个组，并在分组的室之间安装闸门阀，以用于打开和关闭分组的室之间的通道。因此，在维修任意室时，其它室可以继续维持为真空状态。
基本信息
专利标题 ：
基底处理装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1841696A
申请号 ：
CN200610002822.9
公开（公告）日 ：
2006-10-04
申请日 ：
2006-02-06
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
安基喆郑领哲河泰荣张祯元卢一镐李承培
申请人 ：
细美事有限公司
申请人地址 ：
韩国忠清南道
代理机构 ：
北京信慧永光知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
武玉琴
优先权 ：
CN200610002822.9
主分类号 ：
H01L21/677
IPC分类号 ：
H01L21/677 H01L21/20 H01L21/31 H01L21/3205 H01L21/00 C23C14/00 C23C16/00
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21/677
用于传送的，例如在不同的工作站之间
法律状态
2009-03-18 ：
授权
2006-12-06 ：
实质审查的生效
2006-10-04 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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2、
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