测量异质结样品薄膜和基底热导率及界面热阻的方法
实质审查的生效
摘要

本发明提出了一种测量异质结样品薄膜和基底热导率及界面热阻的三电极3ω‑2ω方法,通过在薄膜远离基底的表面设置一个宽加热电极、一个窄加热电极以及一个探测电极,接通电流后测量交流热响应信号进而反演计算出薄膜和基底的热导率以及界面热阻,该方法具有以下优点:(1)实现了单个样品薄膜、基底热导率以及两者间界面热阻的高精度原位测量;(2)直接测量得到基底热导率,无需引用外部数据,减小了薄膜热导率和界面热阻的测量误差,提高了精度;(3)薄膜热导率经测量和反演计算得到,不受材料种类限制,使该方法可适用更多的材料。

基本信息
专利标题 :
测量异质结样品薄膜和基底热导率及界面热阻的方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114509469A
申请号 :
CN202210042831.X
公开(公告)日 :
2022-05-17
申请日 :
2022-01-14
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
曹炳阳杨光
申请人 :
清华大学
申请人地址 :
北京市海淀区清华园
代理机构 :
北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
黄德海
优先权 :
CN202210042831.X
主分类号 :
G01N25/20
IPC分类号 :
G01N25/20  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量;测试
G01N
借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料
G01N25/00
应用热方法测试或分析材料
G01N25/20
通过测量热的变化,即量热法,例如通过测量比热,测量热导率
法律状态
2022-06-03 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01N 25/20
申请日 : 20220114
2022-05-17 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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