一种形成石墨烯纳米带异质结的方法，属于碳纳米材料技术领域。本发明采用一维纳米孔对石墨烯纳米带进行调谐，基于第一性原理计算方法，对具有不同形状纳米孔调谐后石墨烯纳米带单元的电子特性和带阶匹配进行仿真，通过仿真得到形成第I类带阶匹配或第II类带阶匹配异质结的纳米孔指导实际石墨烯纳米带上纳米孔设计。本发明能够形成I型和II型的带阶匹配，并且操作简单可控。基于I型带阶匹配构造的石墨烯异质结，可用于制造分子整流器和分子转换器等电子器件；基于II型带阶匹配构造的石墨烯异质结是潜在的光电器件的构成元件。本发明提出的调制方式可满足石墨烯纳米器件的多种设计要求，适用于不同纳米器件的设计，为石墨烯电子和光电器件的设计奠定了基础。