石墨烯/氧化石墨烯二极管及其形成方法
公开
摘要
本发明提供了用于形成二极管的方法，所述方法包括在第一基底上提供第一石墨烯层结构；在第二基底上提供第二石墨烯层结构；用氧化剂对第一石墨烯层结构进行处理以在其上形成氧化石墨烯表面；以及将第二石墨烯层结构相对第一石墨烯层结构的氧化石墨烯表面对准。
基本信息
专利标题 ：
石墨烯/氧化石墨烯二极管及其形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114616653A
申请号 ：
CN202080075655.9
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2020-11-02
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
罗伯特·沃利斯
申请人 ：
帕拉格拉夫有限公司
申请人地址 ：
英国剑桥郡
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
蔡胜有
优先权 ：
CN202080075655.9
主分类号 ：
H01L21/329
IPC分类号 ：
H01L21/329 H01L29/16 H01L29/861 H01L29/88 C01B32/182 C01B32/194
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/328
制造双极型器件，例如二极管、晶体管、晶闸管的台阶式工艺
H01L21/329
包括1个或两个电极的器件，例如二极管
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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