形成超导氧化物材料的方法和装置
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
本发明应用施加磁场的微波等离子体CVD装置，于200-500℃下，在MgO、SrTiO或YSZ的晶体基片上形成一种超导氧化物薄膜。这种超导材料可用(A1-xBx)yCuzO1v表示，式中A选自钇系和镧系的一种或几种元素，B选自Ba、Sr或Ca的一种或几种元素。此薄膜的Tco约90°K，其在C面上的临界电流密度约1×105A/cM2；而且，即使在液氮温度下冷却，薄膜也不会破裂，且导电性也不受阻。
基本信息
专利标题 ：
形成超导氧化物材料的方法和装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1034285A
申请号 ：
CN88107276.1
公开（公告）日 ：
1989-07-26
申请日 ：
1988-09-16
授权号 ：
CN1016388B
授权日 ：
1992-04-22
发明人 ：
山崎舜平
申请人 ：
株式会社半导体能源研究所
申请人地址 ：
日本神奈川县
代理机构 ：
中国专利代理有限公司
代理人 ：
肖掬昌
优先权 ：
CN88107276.1
主分类号 ：
H01B12/00
IPC分类号 ：
H01B12/00 H01L39/24 H01L39/12
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01B
电缆；导体；绝缘体；导电、绝缘或介电材料的选择
H01B12/00
超导或高导导体、电缆或传输线
法律状态
1998-11-11 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1993-01-27 ：
授权
1992-04-22 ：
审定
1990-02-14 ：
实质审查请求
1989-07-26 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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