功能元件和氧化物材料形成方法
专利申请权、专利权的转移
摘要
本发明鉴于目前正期待着适用范围大的透明电极材料以及磁性材料这一状况，提供具有新特性的功能元件和氧化物材料形成方法。所述的功能元件具有AlxGayInzN和在所述AlxGayInzN上形成、含有金属氧化物的氧化物材料，其中，0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤1；所述金属氧化物为TiO2。根据本发明，可以得到在具有优异的物理化学性质的3族氮化物上一体形成的在界面的反射少、兼具耐化学品性和耐久性膜而构成的功能元件。
基本信息
专利标题 ：
功能元件和氧化物材料形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101099227A
申请号 ：
CN200680001819.3
公开（公告）日 ：
2008-01-02
申请日 ：
2006-01-06
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
一杉太郎古林宽长谷川哲也广濑靖笠井淳平守山实希
申请人 ：
丰田合成株式会社;财团法人神奈川科学技术研究院
申请人地址 ：
日本爱知县
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
苗堃
优先权 ：
CN200680001819.3
主分类号 ：
H01L21/28
IPC分类号 ：
H01L21/28 C23C14/08 C23C14/28 C30B29/16 G02F1/09 H01L33/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/28
用H01L21/20至H01L21/268各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的
法律状态
2017-12-01 ：
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移IPC(主分类) : H01L 21/28
登记生效日 : 20171113
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 丰田合成株式会社
变更后权利人 : 丰田合成株式会社
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 日本爱知县
变更后权利人 : 日本爱知县
变更事项 : 共同专利权人
变更前权利人 : 财团法人神奈川科学技术研究院
变更后权利人 : 地方独立行政法人神奈川县立产业技术综合研究所
登记生效日 : 20171113
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 丰田合成株式会社
变更后权利人 : 丰田合成株式会社
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 日本爱知县
变更后权利人 : 日本爱知县
变更事项 : 共同专利权人
变更前权利人 : 财团法人神奈川科学技术研究院
变更后权利人 : 地方独立行政法人神奈川县立产业技术综合研究所
2009-08-19 ：
授权
2008-02-27 ：
实质审查的生效
2008-01-02 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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