一种在基体上形成石墨烯的方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种在基体上形成石墨烯膜的方法，所述基体包括碳化硅部分；所述方法包括：在真空、惰性气氛或还原性气氛中，对所述碳化硅部分的至少部分区域进行加热，所述加热具有以下温度程序：(i)以500℃/s以上的升温速率，将被加热区域从第一温度加热到1400‑2700℃的目标温度；(ii)在所述目标温度下的保持0‑60s；(iii)以500℃/s以上的降温速率，将被加热区域从所述目标温度冷却至第二温度。
基本信息
专利标题 ：
一种在基体上形成石墨烯的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114314569A
申请号 ：
CN202210021236.8
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2022-01-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
丁松园孙力韩业创
申请人 ：
厦门大学
申请人地址 ：
福建省厦门市思明区思明南路422号
代理机构 ：
中国贸促会专利商标事务所有限公司
代理人 ：
赵剑峰
优先权 ：
CN202210021236.8
主分类号 ：
C01B32/184
IPC分类号 ：
C01B32/184 C01B32/186
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C01
无机化学
C01B
非金属元素；其化合物
C01B32/00
碳；其化合物
C01B32/15
纳米级碳材料
C01B32/182
石墨烯
C01B32/184
制备
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C01B 32/184
申请日 : 20220110
申请日 : 20220110
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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