碳质结构体的形成方法及具有碳质结构体的基体
公开
摘要
本发明的目的在于提供用于形成包含CNT等微小碳素体的碳质结构体的新型形成方法等。一种碳质结构体的形成方法，其为在基体表面上形成碳质结构体的碳质结构体的形成方法，其包含以下工序：层叠体形成工序，其中形成包含微小碳素体和分散介质的微小碳素体分散液将可保持该分散介质的多孔质膜与基体之间的至少一部分填充而成的层叠体；和分散介质除去工序，其中介由所述多孔质膜及/或基体将所述分散介质的至少一部分取出至层叠体外。
基本信息
专利标题 ：
碳质结构体的形成方法及具有碳质结构体的基体
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114599605A
申请号 ：
CN202080074703.2
公开（公告）日 ：
2022-06-07
申请日 ：
2020-10-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
石崎学栗原正人松井淳
申请人 ：
国立大学法人山形大学;日产化学株式会社
申请人地址 ：
日本山形县
代理机构 ：
永新专利商标代理有限公司
代理人 ：
白丽
优先权 ：
CN202080074703.2
主分类号 ：
C01B32/168
IPC分类号 ：
C01B32/168 C01B32/159 C23C26/00 B82Y30/00 B82Y40/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C01
无机化学
C01B
非金属元素；其化合物
C01B32/00
碳；其化合物
C01B32/15
纳米级碳材料
C01B32/158
碳纳米管
C01B32/168
后处理
法律状态
2022-06-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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