具有压电薄膜的偏置结构及其形成方法
实质审查的生效
摘要
本申请公开一种具有压电薄膜的偏置结构及其形成方法，所偏置结构包括：底电极；位于所述底电极表面的压电薄膜；所述底电极与所述压电薄膜之间的指标参数的差异大于等于最低阈值，所述指标参数与压电薄膜的自发极化相关。本方案提出以功函数差异为核心，综合考虑晶格失配和热失配等各项指标参数，通过采用性质不完全相同的底电极材料和顶电极材料，得到底电极‑压电薄膜‑顶电极的偏置结构设计，改变压电薄膜的电学边界条件和机械边界条件，增强压电薄膜的自发极化，从而获得性能更加优异的压电薄膜材料。
基本信息
专利标题 ：
具有压电薄膜的偏置结构及其形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114497345A
申请号 ：
CN202210050861.5
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2022-01-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
刘悦马有草宋健赵玉垚
申请人 ：
上海交通大学
申请人地址 ：
上海市徐汇区华山路1954号
代理机构 ：
深圳市嘉勤知识产权代理有限公司
代理人 ：
董琳
优先权 ：
CN202210050861.5
主分类号 ：
H01L41/047
IPC分类号 ：
H01L41/047 H01L41/08 H01L41/257 H01L41/29
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 41/047
申请日 : 20220117
申请日 : 20220117
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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