氧化层的形成方法
公开
摘要
本发明公开了一种氧化层的形成方法，包括：步骤一、在硅衬底表面上形成多晶硅层，多晶硅层的厚度按照所需要的第一氧化层的厚度进行设置；步骤二、采用热氧化工艺将多晶硅层全部氧化形成所述第一氧化层，利用多晶硅层的氧化速率快于硅衬底的氧化速率的特点，降低形成第一氧化层的热过程，以控制硅衬底上的掺杂杂质的扩散。本发明能降低氧化层的形成工艺的热过程并能控制氧化层的形成工艺中硅衬底上的掺杂杂质的扩散，从而能防止形成厚的氧化层时对器件性能造成不利影响。
基本信息
专利标题 ：
氧化层的形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114582706A
申请号 ：
CN202011370085.4
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2020-11-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
曾大杰郑辉
申请人 ：
南通尚阳通集成电路有限公司
申请人地址 ：
江苏省南通市崇川区崇川路79号国际青创园1号楼18层
代理机构 ：
上海浦一知识产权代理有限公司
代理人 ：
郭四华
优先权 ：
CN202011370085.4
主分类号 ：
H01L21/02
IPC分类号 ：
H01L21/02 H01L21/28 H01L21/762 H01L29/51
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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