形成氧化层的方法
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摘要
本发明公开一种形成氧化层的方法，其包含有下述步骤。首先，提供一基底。接着，处理基底的一表面，以形成一含氧离子的表面。接续，形成一旋转涂布介电层于基底的含氧离子的表面上。本发明又提供一种形成一氧化层的方法，包含有下述步骤。首先，提供一基底。接着，以过氧化氢处理基底的一表面或者以含氧气体处理基底的一表面，以形成一含氧离子的表面。接续，形成一旋转涂布介电层于基底的含氧离子的表面上。
基本信息
专利标题 ：
形成氧化层的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN109148258A
申请号 ：
CN201710455943.7
公开（公告）日 ：
2019-01-04
申请日 ：
2017-06-16
授权号 ：
CN109148258B
授权日 ：
2022-05-03
发明人 ：
黄承栩李瑞珉张景翔陈意维刘玮鑫邹世芳
申请人 ：
联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹市
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陈小雯
优先权 ：
CN201710455943.7
主分类号 ：
H01L21/02
IPC分类号 ：
H01L21/02
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
法律状态
2022-05-03 ：
授权
2019-07-16 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/02
申请日 : 20170616
申请日 : 20170616
2019-01-04 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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