半导体结构中氧化层的形成方法
授权
摘要
本发明提供一种半导体结构中氧化层的形成方法，包括：提供一半导体衬底；在第一压力下，执行第一氧化工艺形成第一氧化层于所述半导体衬底上；及在第二压力下，执行第二氧化工艺形成第二氧化层于所述第一氧化层上，即得所述氧化层；其中，所述氧化层由所述第一氧化层和所述第二氧化层组成，所述第一压力高于所述第二压力，所述形成第一氧化层的反应速率小于所述形成第二氧化层的反应速率。通过采用两步氧化的方法，可提高氧化层厚度的均匀性，提高产品良率。该方法工艺简单，成本低，适用于半导体结构的氧化层生长，例如栅极氧化层、STI氧化层、牺牲氧化层、侧壁氧化层、衬垫氧化层等，包括但不限于以上所述氧化层。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构中氧化层的形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110896022A
申请号 ：
CN201811069648.9
公开（公告）日 ：
2020-03-20
申请日 ：
2018-09-13
授权号 ：
CN110896022B
授权日 ：
2022-05-10
发明人 ：
卢康
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
代理机构 ：
北京律智知识产权代理有限公司
代理人 ：
董天宝
优先权 ：
CN201811069648.9
主分类号 ：
H01L21/02
IPC分类号 ：
H01L21/02 H01L21/67
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
法律状态
2022-05-10 ：
授权
2020-04-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/02
申请日 : 20180913
申请日 : 20180913
2020-03-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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