半导体结构及其形成方法
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摘要
一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：提供基底，所述基底上具有鳍部；在基底上形成隔离结构，所述隔离结构内具有第一开口，所述第一开口暴露出鳍部的部分侧壁；在所述第一开口内形成保护层，所述保护层覆盖鳍部的侧壁；去除部分鳍部，在所述保护层之间形成源漏开口。所述方法形成的半导体器件的性能较好。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构及其形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN109686779A
申请号 ：
CN201710976791.5
公开（公告）日 ：
2019-04-26
申请日 ：
2017-10-19
授权号 ：
CN109686779B
授权日 ：
2022-05-13
发明人 ：
李勇
申请人 ：
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路新技术研发(上海)有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区张江路18号
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
徐文欣
优先权 ：
CN201710976791.5
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L21/02
法律状态
2022-05-13 ：
授权
2019-05-21 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/06
申请日 : 20171019
申请日 : 20171019
2019-04-26 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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