基于石墨烯/氧化镓异质结的二极管及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明属于半导体技术领域，尤其涉及一种基于石墨烯/氧化镓异质结的二极管，从下至上依次为ITO衬底、氧化镓薄膜、石墨烯薄膜和铝电极层，其制备方法依次由衬底刻蚀、衬底准备、溅射氧化镓薄膜、退火处理、制备石墨烯、转移石墨烯以及蒸镀电极等步骤组成。该二极管具有制备方法简单，能够在常温下工作等特点，且器件表现出优异的整流行为和高透明性。
基本信息
专利标题 ：
基于石墨烯/氧化镓异质结的二极管及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114497277A
申请号 ：
CN202111664243.1
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2021-12-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
唐利斌韩天亮贾梦涵项金钟
申请人 ：
昆明物理研究所
申请人地址 ：
云南省昆明市五华区教场东路31号
代理机构 ：
昆明祥和知识产权代理有限公司
代理人 ：
和琳
优先权 ：
CN202111664243.1
主分类号 ：
H01L31/18
IPC分类号 ：
H01L31/18 H01L31/109 C23C14/04 C23C14/08 C23C14/18 C23C14/24 C23C14/35 C23C14/58 C23C16/01 C23C16/26 C23C28/00
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 31/18
申请日 : 20211230
申请日 : 20211230
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
