一种双离子插层氧化钼纳米片、异质结及其制备方法
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摘要
本发明涉及一种双离子插层氧化钼纳米片、异质结及其制备方法，该方法包括以下步骤：将生长有氧化钼纳米片的衬底放置于包含亚锡盐的前驱体溶液中加热，得到Sn4+离子插层的氧化钼纳米片；在上述纳米片表面放置锌微米颗粒，滴加金属盐溶液反应，获得Sn4+、金属阳离子共插层的氧化钼纳米片；其中将钼片放置在耐高温衬底表面，在540‑600℃的大气环境下保持5‑20min，然后冷却至室温即可获得生长有氧化钼纳米片的衬底。本发明实现了将Sn4+离子和第二类金属离子共同插层到MoO3的层间，减小其带隙，提高氧化钼的导电性，拓宽了吸收谱带范围，同时在单一材料实现异质结的构建提高光电性能。
基本信息
专利标题 ：
一种双离子插层氧化钼纳米片、异质结及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN109928427A
申请号 ：
CN201910216725.7
公开（公告）日 ：
2019-06-25
申请日 ：
2019-03-21
授权号 ：
CN109928427B
授权日 ：
2022-04-19
发明人 ：
谢伟广赖浩杰何锐辉陈科球罗佳玉刘彭义
申请人 ：
暨南大学
申请人地址 ：
广东省广州市天河区黄埔大道西601号
代理机构 ：
广州市华学知识产权代理有限公司
代理人 ：
陈燕娴
优先权 ：
CN201910216725.7
主分类号 ：
C01G39/02
IPC分类号 ：
C01G39/02 B82Y40/00 H01L31/032 H01L31/112
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C01
无机化学
C01G
含有不包含在C01D或C01F小类中之金属的化合物
C01G39/00
钼的化合物
C01G39/02
氧化物；氢氧化物
法律状态
2022-04-19 ：
授权
2019-07-19 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C01G 39/02
申请日 : 20190321
申请日 : 20190321
2019-06-25 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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