一种三氧化钼纳米薄膜的制备方法
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摘要
本发明公开了一种三氧化钼纳米薄膜的制备方法，虽然现有技术能够制备氧化钼薄膜，但是易于转移、大面积连续致密、纳米或分子层厚度级别的三氧化钼薄膜的制备仍是有研究和应用价值的。本发明通过硫化钼在氧化气氛中氧化形成氧化钼，然后氧化钼高温下升华，升华后的氧化钼在熔融态钠盐表面结晶生长，获得氧化钼纳米薄膜。本发明在熔融盐液体表面生长三氧化钼薄膜，制备的薄膜厚度薄，厚度为单分子层至数十个纳米厚度，薄膜连续，柔韧性好，可弯曲，适用于柔性应用领域。
基本信息
专利标题 ：
一种三氧化钼纳米薄膜的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112520789A
申请号 ：
CN202011593272.9
公开（公告）日 ：
2021-03-19
申请日 ：
2020-12-29
授权号 ：
CN112520789B
授权日 ：
2022-05-31
发明人 ：
赵士超蔡庆锋
申请人 ：
杭州电子科技大学
申请人地址 ：
浙江省杭州市下沙高教园区2号大街
代理机构 ：
杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
杨舟涛
优先权 ：
CN202011593272.9
主分类号 ：
C01G39/02
IPC分类号 ：
C01G39/02 B82Y30/00 B82Y40/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C01
无机化学
C01G
含有不包含在C01D或C01F小类中之金属的化合物
C01G39/00
钼的化合物
C01G39/02
氧化物；氢氧化物
法律状态
2022-05-31 ：
授权
2021-04-06 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C01G 39/02
申请日 : 20201229
申请日 : 20201229
2021-03-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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