金刚石/氧化镓异质pn结二极管的制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种金刚石/氧化镓异质pn结二极管的制备方法，包括如下步骤：在高掺杂p型金刚石衬底上外延轻掺杂p型金刚石外延层；选择性外延掩膜的制作；轻掺杂n型氧化镓和高掺杂n型氧化镓外延层的生长；氧化镓外延层的剥离；正面和背面欧姆接触的制备。本发明针对现有pn结型金刚石二极管由于n型掺杂激活率低导致的n型掺杂区域电阻高、器件导通电阻大的问题，基于氧化镓选择性延生长技术，开发了一种金刚石异/氧化镓超宽禁带异质pn结二极管的制备方法，具有器件导通电阻低、击穿电压高、高温稳定性好等优点。
基本信息
专利标题 ：
金刚石/氧化镓异质pn结二极管的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114497186A
申请号 ：
CN202111669320.2
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2021-12-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
郁鑫鑫周建军吴云孔月婵
申请人 ：
南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司
申请人地址 ：
江苏省南京市秦淮区永智路6号南京白下高新技术产业园区四号楼1006室
代理机构 ：
南京理工大学专利中心
代理人 ：
陈鹏
优先权 ：
CN202111669320.2
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/267 H01L21/329 H01L29/861
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/06
申请日 : 20211230
申请日 : 20211230
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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