二极管装置及形成二极管装置的方法
实质审查的生效
摘要
本发明涉及二极管装置及形成二极管装置的方法，可提供一种二极管装置，包括半导体衬底，该半导体衬底包括设置在其中的阱区，设置在阱区内的第一掺杂区和第二掺杂区，设置在第一掺杂区内的第一接触区，以及设置在第一掺杂区内的隔离结构，其中氧化层可内衬于隔离结构的表面。第一掺杂区和第一接触区可具有第一导电类型，并且阱区和第二掺杂区可具有和第一导电类型不同的第二导电类型。第一接触区的掺杂浓度可高于第一掺杂区的掺杂浓度，并且第一掺杂区的一部分可设置在第一接触区及阱区之间。
基本信息
专利标题 ：
二极管装置及形成二极管装置的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114361284A
申请号 ：
CN202111073955.6
公开（公告）日 ：
2022-04-15
申请日 ：
2021-09-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
林启荣郭克文S·罗伊
申请人 ：
新加坡商格罗方德半导体私人有限公司
申请人地址 ：
新加坡，新加坡城
代理机构 ：
北京戈程知识产权代理有限公司
代理人 ：
程伟
优先权 ：
CN202111073955.6
主分类号 ：
H01L31/107
IPC分类号 ：
H01L31/107 H01L31/0352 H01L31/18
法律状态
2022-05-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 31/107
申请日 : 20210914
申请日 : 20210914
2022-04-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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