一种形成发光二极管(LED)前体的方法，包括：在基底上形成包括III族氮化物的第一半导体层，选择性地去除部分第一半导体层以形成台面结构，并形成单片LED结构。根据该方法，第一半导体层在第一半导体层的与基底相反的一侧上具有生长表面。根据该方法，选择性地去除第一半导体层以形成台面结构，使得第一半导体层的生长表面包括台面表面和体半导体表面。此外，单片LED结构在第一半导体层的生长表面上形成，使得单片LED结构覆盖台面表面和体半导体表面，单片LED结构包括多层，每层包括III族氮化物，单片LED结构包括：第二半导体层；设置在第二半导体层上的有源层，该有源层被配置为产生光；以及设置在有源层上的p型半导体层。在覆盖台面表面的p型半导体层的第一部分和覆盖体半导体表面的p型半导体层的第二部分之间提供势垒。该势垒围绕对台面表面进行覆盖的p型半导体层的第一部分。