发光装置的形成方法与半导体发光装置
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摘要
本发明提供一种发光装置的形成方法与半导体发光装置，所述形成至少一发光装置的方法，具有使用CMOS制程的控制电路，包括形成至少一设置于下电极之中或是上方的介电区，其中介电区包括多孔介电质或低密度介电质；将多个发光粒子注入至介电区中；以及形成至少一设置于介电区上的上电极。本发明所述发光装置的形成方法与半导体发光装置，增加了纳米微晶体的沉积效率，因此可改善发光装置的空穴移动率以及栅极介电层介面。且不需要增加制程花费就可以轻易的将发光装置与控制电路整合的制程方法。
基本信息
专利标题 ：
发光装置的形成方法与半导体发光装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1905221A
申请号 ：
CN200610009081.7
公开（公告）日 ：
2007-01-31
申请日 ：
2006-02-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
黄健朝杨富量
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号
代理机构 ：
北京林达刘知识产权代理事务所
代理人 ：
刘新宇
优先权 ：
CN200610009081.7
主分类号 ：
H01L33/00
IPC分类号 ：
H01L33/00
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法律状态
2009-10-14 ：
授权
2007-03-28 ：
实质审查的生效
2007-01-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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2、
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