半导体发光装置及半导体发光装置的制造方法
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摘要
半导体发光装置(1)具备基体(30)、位于基体(30)上的副基台(20)和位于副基台(20)上的半导体激光器(10)，半导体激光器(10)和副基台(20)被用第1接合件(41)接合，基体(30)和副基台(20)被用第2接合件(42)接合，在副基台(20)的基体(30)侧，存在配置有衬垫(22)的第1区域(R1)和不配置衬垫(22)的第2区域(R2)，副基台(20)的第2区域(R1)的至少一部分被第2接合件(42)覆盖从而副基台(20)与基体(30)接合。
基本信息
专利标题 ：
半导体发光装置及半导体发光装置的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112438000A
申请号 ：
CN201980048171.2
公开（公告）日 ：
2021-03-02
申请日 ：
2019-08-05
授权号 ：
CN112438000B
授权日 ：
2022-05-13
发明人 ：
左文字克哉西川透
申请人 ：
新唐科技日本株式会社
申请人地址 ：
日本京都府
代理机构 ：
永新专利商标代理有限公司
代理人 ：
吕文卓
优先权 ：
CN201980048171.2
主分类号 ：
H01S5/02315
IPC分类号 ：
H01S5/02315 H01L23/12
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法律状态
2022-05-13 ：
授权
2021-03-19 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01S 5/02315
申请日 : 20190805
申请日 : 20190805
2021-03-02 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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