发光二极管及其电极压焊点的形成方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明公开了发光二极管电极压焊点的形成方法，提供一个包含p电极区和n电极区的LED芯片，所述p电极区上包括第一金属层，所述方法进一步包括：步骤一，形成一光刻胶层在所述LED芯片的p和n电极区上；步骤二，在所述p和n电极区的光刻胶层上通过光刻形成压焊点的掩膜窗口；步骤三，在所述光刻胶掩膜上沉积第二、第三金属层；步骤四，移除光刻胶层以及其上的第二、第三金属层，保留沉积在掩模窗口中的第二、三金属层作为压焊点。本发明的发光二极管，包括：一LED芯片，所述芯片上包括p电极区和n电极区，所述p电极区上包括第一金属层构成p电极；第二、三金属层，设置在所述LED芯片上的局部p电极上和局部n电极区上。
基本信息
专利标题 ：
发光二极管及其电极压焊点的形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1964083A
申请号 ：
CN200510110301.0
公开（公告）日 ：
2007-05-16
申请日 ：
2005-11-11
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
江忠永
申请人 ：
杭州士兰明芯科技有限公司
申请人地址 ：
310018浙江省杭州市经济技术开发区东区10号路
代理机构 ：
上海专利商标事务所有限公司
代理人 ：
陈亮
优先权 ：
CN200510110301.0
主分类号 ：
H01L33/00
IPC分类号 ：
H01L33/00 H01L21/28
法律状态
2009-10-07 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2007-07-11 ：
实质审查的生效
2007-05-16 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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