磷化镓发光二极管电极制备工艺
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
磷化镓发光二极管电极制备工艺，本发明涉及发光二极管电极制备工艺。它提出一种具有多组分电极结构的材料配方，借助多层真空镀膜，控制镀模厚度，优选合金热处理的工艺条件，降低合金热处理的温度，获得较低的比接触电阻，线性好、斜率大的伏安特性，在半导体表面上获得一个高掺杂的半导体层。其工序简便、安全，充分利用现有中小规模光电器件管芯制备的常规设备，用料省、成本低。
基本信息
专利标题 ：
磷化镓发光二极管电极制备工艺
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1039681A
申请号 ：
CN88104435.0
公开（公告）日 ：
1990-02-14
申请日 ：
1988-07-15
授权号 ：
CN1010906B
授权日 ：
1990-12-19
发明人 ：
林秀华江炳熙
申请人 ：
厦门大学
申请人地址 ：
福建省厦门市思明南路422号
代理机构 ：
厦门大学专利事务所
代理人 ：
马应森
优先权 ：
CN88104435.0
主分类号 ：
H01L21/283
IPC分类号 ：
H01L21/283 H01L21/24 H01L33/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/28
用H01L21/20至H01L21/268各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的
H01L21/283
用于电极的导电材料或绝缘材料的沉积
法律状态
1994-08-31 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1991-08-28 ：
授权
1990-12-19 ：
审定
1990-02-14 ：
公开
1989-03-01 ：
实质审查请求
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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