磷化镓发光二极管
专利权的终止专利权有效期届满
摘要
一种能使发光效率提高一倍的磷化镓发光二极管，其特征是采用含有N1—N2—N-—P-—P五层结构的芯片材料，其中处延层N-和P-晶体均具有良好的结晶完整性，厚度只有几个微米。
基本信息
专利标题 ：
磷化镓发光二极管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN88215651.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
1988-10-25
授权号 ：
CN2040277U
授权日 ：
1989-06-28
发明人 ：
华伟民丁祖昌
申请人 ：
浙江大学
申请人地址 ：
浙江省杭州市玉泉
代理机构 ：
浙江大学专利代理事务所
代理人 ：
连寿金
优先权 ：
CN88215651.9
主分类号 ：
H01L33/00
IPC分类号 ：
H01L33/00
法律状态
1994-03-16 ：
专利权的终止专利权有效期届满
1990-02-28 ：
授权
1989-06-28 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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