氮化镓基垂直结构发光二极管及其制造方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种氮化镓基垂直结构发光二极管及其制造方法，从下至上依次包括：支撑基板、键合金属层、P型电极、P型半导体层、量子阱发光层、N型半导体层、缓冲层及N型电极，其中，缓冲层具有贯穿的V型孔洞结构；N型半导体完全填充缓冲层的V型孔洞；N型电极与V型孔洞内的N型半导体接触，形成欧姆接触。在Si衬底上生长具有V型孔洞贯穿的缓冲层，然后生长高掺杂的N型半导体层，并且缓冲层的V型孔洞被N型半导体完全填充，该结构的组合保证了器件良好的N型欧姆接触特性的同时，保留了高强度的缓冲层，可实现具有超薄外延层的氮化镓基垂直结构发光二极管的制造。
基本信息
专利标题 ：
氮化镓基垂直结构发光二极管及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114530535A
申请号 ：
CN202210047002.0
公开（公告）日 ：
2022-05-24
申请日 ：
2022-01-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
郑畅达舒俊张建立王小兰高江东李丹杨小霞潘拴王立
申请人 ：
南昌大学;南昌硅基半导体科技有限公司
申请人地址 ：
江西省南昌市红谷滩新区学府大道999号
代理机构 ：
江西省专利事务所
代理人 ：
张文
优先权 ：
CN202210047002.0
主分类号 ：
H01L33/20
IPC分类号 ：
H01L33/20 H01L33/12 H01L33/38 H01L33/00
法律状态
2022-06-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/20
申请日 : 20220117
申请日 : 20220117
2022-05-24 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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