发光二极管元件、以及发光二极管元件的制造方法
授权
摘要
本发明提供一种能够降低横向电阻的倒装芯片型的发光二极管元件。该倒装芯片型的发光二极管元件具备依次层叠载流子浓度为1×1019cm‑3以上且小于3×1020cm‑3的第一n型III族氮化物半导体层(102)、载流子浓度为5×1017cm‑3以上且小于1×1019cm‑3的第二n型III族氮化物半导体层(103)、由III族氮化物半导体构成的发光层(104)、以及p型III族氮化物半导体层(105)的层叠体结构，所述第一n型III族氮化物半导体层(102)与所述第二n型III族氮化物半导体层(103)的界面的凹凸的高低差大于所述第二n型III族氮化物半导体层(103)与所述发光层(104)的界面的凹凸的高低差。
基本信息
专利标题 ：
发光二极管元件、以及发光二极管元件的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110473943A
申请号 ：
CN201910025850.X
公开（公告）日 ：
2019-11-19
申请日 ：
2019-01-10
授权号 ：
CN110473943B
授权日 ：
2022-04-15
发明人 ：
大野启山下贤哉
申请人 ：
松下知识产权经营株式会社
申请人地址 ：
日本国大阪府
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
葛凡
优先权 ：
CN201910025850.X
主分类号 ：
H01L33/24
IPC分类号 ：
H01L33/24 H01L33/32 H01L33/00
法律状态
2022-04-15 ：
授权
2019-12-13 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/24
申请日 : 20190110
申请日 : 20190110
2019-11-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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