垂直发光二极管的制造方法
专利权的终止
摘要
本发明公开了半导体垂直发光二极管(Vertical Light Emitting Diode，VLED)器件的制造方法，所述器件在其n型掺杂层与p型掺杂层之间设有活化层；以及在所述VLED器件的n型掺杂层表面其上固定有多个球体。
基本信息
专利标题 ：
垂直发光二极管的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101103438A
申请号 ：
CN200680002141.0
公开（公告）日 ：
2008-01-09
申请日 ：
2006-01-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
段忠陈长安
申请人 ：
美商旭明国际股份有限公司
申请人地址 ：
美国爱达荷州
代理机构 ：
永新专利商标代理有限公司
代理人 ：
王英
优先权 ：
CN200680002141.0
主分类号 ：
H01L21/00
IPC分类号 ：
H01L21/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
法律状态
2018-03-06 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 21/00
申请日 : 20060110
授权公告日 : 20100714
终止日期 : 20170110
申请日 : 20060110
授权公告日 : 20100714
终止日期 : 20170110
2010-07-14 ：
授权
2008-02-27 ：
实质审查的生效
2008-01-09 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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