发光二极管、背光器件以及制造发光二极管的方法
专利权的终止
摘要
一种发光二极管(104)包括具有主表面并且充当衬底的透明衬底(44)、安装在主表面上的发光二极管元件(17)、以及由透明树脂制成并且布置在主表面上以密封覆盖发光二极管元件(17)的实质上为半圆柱的树脂密封部分(48)。树脂密封部分(48)具有反射表面，用于将从发光二极管元件(17)发射出的光向透明衬底(44)反射。优选地，在反射表面上布置由镀银等制成的反射器(21)。
基本信息
专利标题 ：
发光二极管、背光器件以及制造发光二极管的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1812093A
申请号 ：
CN200510136928.3
公开（公告）日 ：
2006-08-02
申请日 ：
2005-12-20
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
藤田祐介
申请人 ：
夏普株式会社
申请人地址 ：
日本大阪府
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
陈瑞丰
优先权 ：
CN200510136928.3
主分类号 ：
H01L25/075
IPC分类号 ：
H01L25/075 H01L23/31 H01L21/56 H01L33/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L25/00
由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件
H01L25/03
所有包含在H01L27/00至H01L51/00各组中同一小组内的相同类型的器件，例如整流二极管的组装件
H01L25/04
不具有单独容器的器件
H01L25/075
包含在H01L33/00组类型的器件
法律状态
2021-12-03 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 33/00
申请日 : 20051220
授权公告日 : 20081119
终止日期 : 20201220
申请日 : 20051220
授权公告日 : 20081119
终止日期 : 20201220
2008-11-19 ：
授权
2006-09-27 ：
实质审查的生效
2006-08-02 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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