功率型发光二极管器件及其制造方法

专利权的终止

摘要

本发明涉及一种功率型发光二极管器件的制造方法，包括：在半导体基板或金属基板或陶瓷基板上利用半导体MOCVD技术或外延扩散技术或离子注入技术制备光敏电阻，或者直接将成品光敏电阻焊接在基板上；在基板上分别封装多个发光二极管芯片，形成多组串联电路；多组串联电路依次连接电压补偿热敏电阻、光敏电阻、参数电阻；利用这种方法制作的器件可以显示其各个串联电路中发光二极管芯片相加的电压、电路对应补偿电阻数值，以及器件焊接完成后测量该串联电路的电压；而且器件具有串并联电路及其电压温度补偿特点。

基本信息

专利标题：

功率型发光二极管器件及其制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1828856A

申请号：

CN200610033793.2

公开（公告）日：

2006-09-06

申请日：

2006-02-23

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

郭志友范广涵孙慧卿

申请人：

华南师范大学

申请人地址：

510630广东省广州市天河区石牌

代理机构：

广州粤高专利代理有限公司

代理人：

何淑珍

优先权：

CN200610033793.2

主分类号：

H01L21/60

IPC分类号：

H01L21/60 H01L25/16 G01R19/00

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L21/00

专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备

H01L21/02

半导体器件或其部件的制造或处理

H01L21/04

至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层

H01L21/50

应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的

H01L21/60

引线或其他导电构件的连接，用于工作时向或由器件传导电流

法律状态

2020-02-11 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 21/60
申请日 : 20060223
授权公告日 : 20081112
终止日期 : 20190223

2009-07-29 ：

专利申请权、专利权的转移(专利权的转移)

登记生效日 : 20090619
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 华南师范大学
变更后权利人 : 广州广日电气设备有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 广东省广州市天河区石牌邮编 : 510630
变更后 : 广东省广州市番禺区大石镇石北工业区邮编 : 511430

2008-11-12 ：

授权

2006-10-25 ：

实质审查的生效

2006-09-06 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

文件下载

暂无PDF文件可下载