发光器件的制造方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
公开了一种发光器件的制造方法，它包括如下步骤：沿传递方向将一基材输送进入一个薄膜形成室，从而使该基材通过一蒸发护罩的上方，该蒸发护罩的上部具有至少一个开孔；加热位于该蒸发护罩下方蒸发源中的一种蒸发物质，从而在将该基材输送通过该蒸发护罩上方的同时使该蒸发物质从该蒸发护罩的所述开孔中逸出，在所述基材上形成一层含该蒸发物质的发光层；在形成所述发光层的过程中加热该蒸发护罩；所述开孔具有细长的形状，其细长的方向沿与所述传递方向垂直的第二方向排列。
基本信息
专利标题 ：
发光器件的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN102290535A
申请号 ：
CN201110101866.8
公开（公告）日 ：
2011-12-21
申请日 ：
2006-03-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
岩城裕司瀬尾哲史熊木大介中島晴惠小島久味
申请人 ：
株式会社半导体能源研究所
申请人地址 ：
日本神奈川县
代理机构 ：
上海专利商标事务所有限公司
代理人 ：
朱黎明
优先权 ：
CN201110101866.8
主分类号 ：
H01L51/56
IPC分类号 ：
H01L51/56 H05B33/10
法律状态
2014-08-27 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
号牌文件类型代码 : 1603
号牌文件序号 : 101704522877
IPC(主分类) : H01L 51/56
专利申请号 : 2011101018668
申请公布日 : 20111221
号牌文件序号 : 101704522877
IPC(主分类) : H01L 51/56
专利申请号 : 2011101018668
申请公布日 : 20111221
2012-02-08 ：
实质审查的生效
号牌文件类型代码 : 1604
号牌文件序号 : 101180928463
IPC(主分类) : H01L 51/56
专利申请号 : 2011101018668
申请日 : 20060323
号牌文件序号 : 101180928463
IPC(主分类) : H01L 51/56
专利申请号 : 2011101018668
申请日 : 20060323
2011-12-21 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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