发光器件及其制造方法
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摘要
本发明涉及一种发光器件及其制造方法。该制造方法包括以下步骤：提供表面具有外延结构的衬底，外延结构具有依次层叠在衬底上的第一半导体层、有源层和第二半导体层；在外延结构上形成电极孔，电极孔穿过第二半导体层和有源层；在外延结构上顺序形成牺牲层和钝化层，牺牲层覆盖第二半导体层远离衬底一侧的第一表面，钝化层覆盖牺牲层和电极孔的内表面；去除第一表面上的钝化层、电极孔底表面的钝化层以及牺牲层，保留电极孔侧表面的钝化层；在第一表面一侧形成第一电极和第二电极，第一电极与第二半导体层电连接，第二电极穿过电极孔与第一半导体层电连接。上述制造方法避免了电极孔的光刻工艺窗口小而导致的刻蚀困难，有利于芯片尺寸的微缩化。
基本信息
专利标题 ：
发光器件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112968083A
申请号 ：
CN202011219786.8
公开（公告）日 ：
2021-06-15
申请日 ：
2020-11-04
授权号 ：
CN112968083B
授权日 ：
2022-05-20
发明人 ：
王涛
申请人 ：
重庆康佳光电技术研究院有限公司
申请人地址 ：
重庆市璧山区璧泉街道钨山路69号（1号厂房）
代理机构 ：
北京康信知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
王晓玲
优先权 ：
CN202011219786.8
主分类号 ：
H01L33/00
IPC分类号 ：
H01L33/00 H01L33/36 H01L33/44
法律状态
2022-05-20 ：
授权
2021-07-02 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/00
申请日 : 20201104
申请日 : 20201104
2021-06-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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