本发明提供把在分布布拉格反射器的近红外光的发光减少到可忽视的水平，进而降低在分布布拉格反射器的光的吸收率的高亮度发光二极管。为了达到该目的，通过对AlGaInP系发光二极管的分布布拉格反射器使用AlGaAs层和AlInP层的组合，并将其膜厚规定为下述(1)、(2)、(3)式的关系。(AlGaAs层的膜厚[nm])＝{λn₁)}×α…(1)，(AlInP层的膜厚[nm])＝{λ₀/(4×n₂)}×(2－α)…(2)，λn₁：对需要反射的光的波长的AlGaAs层的折射率，n₂：对需要反射的光的波长的AlInP层的折射率，0.5＜α＜0.9…(3)。