发光二极管结构及其制造方法
授权
摘要
本发明涉及一种LED结构，包括基板、键合层、第一掺杂型半导体层、多重量子阱层(MQW层)、第二掺杂型半导体层、钝化层以及电极层。键合层形成在基板上，并且第一掺杂型半导体层形成在键合层上。MQW层形成在第一掺杂型半导体层上，第二掺杂型半导体层形成在MQW层上。第二掺杂型半导体层包括通过离子注入制成的隔离材料，并且钝化层形成在第二掺杂型半导体层上。电极层形成在钝化层上，通过钝化层上的第一开口与第二掺杂型半导体层的一部分接触。
基本信息
专利标题 ：
发光二极管结构及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112864290A
申请号 ：
CN202110322711.0
公开（公告）日 ：
2021-05-28
申请日 ：
2021-03-25
授权号 ：
CN112864290B
授权日 ：
2022-04-22
发明人 ：
庄永漳
申请人 ：
镭昱光电科技（苏州）有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市苏州工业园区星湖街328号创意产业园1-B302
代理机构 ：
南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
王锋
优先权 ：
CN202110322711.0
主分类号 ：
H01L33/06
IPC分类号 ：
H01L33/06 H01L33/38 H01L33/00 H01L33/44
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法律状态
2022-04-22 ：
授权
2021-06-15 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/06
申请日 : 20210325
申请日 : 20210325
2021-05-28 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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