高分子发光二极管制造方法
专利权的终止
摘要
本发明涉及一种高分子发光二极管制造方法，其包括以下步骤：提供一基底；在该基底上形成一阳极层；在该阳极层上形成一高分子发光层；使用超声波处理该高分子发光层。本发明的高分子发光二极管制造方法可以制造出具有较高发光纯度的高分子发光二极管。
基本信息
专利标题 ：
高分子发光二极管制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1979916A
申请号 ：
CN200510102285.0
公开（公告）日 ：
2007-06-13
申请日 ：
2005-12-07
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
黄荣龙彭家鹏
申请人 ：
群康科技（深圳）有限公司;群创光电股份有限公司
申请人地址 ：
518109广东省深圳市宝安区龙华镇富士康科技工业园E区4栋1层
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN200510102285.0
主分类号 ：
H01L51/56
IPC分类号 ：
H01L51/56
法律状态
2021-11-16 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 51/56
申请日 : 20051207
授权公告日 : 20090311
终止日期 : 20201207
申请日 : 20051207
授权公告日 : 20090311
终止日期 : 20201207
2009-03-11 ：
授权
2007-08-08 ：
实质审查的生效
2007-06-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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