一种垂直结构深紫外发光二极管
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摘要
本实用新型涉及一种垂直结构深紫外发光二极管，其包括自下而上设置的N‑AlGaN层(104)、多量子阱层(105)、P‑AlGaN层(106)和P‑GaN层(107)，所述P‑GaN层(107)的部分区域的全部或一部分被去除掉并在所述P‑GaN层(107)的上表面上沉积有一层反射层(201)，所述反射层(201)的上表面上沉积有一层粘合金属层(202)，所述粘合金属层(202)的上表面上结合有一层导电基板层(301)，所述N‑AlGaN层(104)的部分下表面上制作有电极金属层(401)且所述电极金属层(401)的位置与所述P‑GaN层(107)的所述部分区域相对应。其可以解决现有技术中光提取效率低、电流横向扩展差的问题。
基本信息
专利标题 ：
一种垂直结构深紫外发光二极管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022524137.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-11-04
授权号 ：
CN215184030U
授权日 ：
2021-12-14
发明人 ：
崔志勇尉尊康李勇强郭凯薛建凯张向鹏张晓娜王雪
申请人 ：
山西中科潞安紫外光电科技有限公司
申请人地址 ：
山西省长治市高新区漳泽新型工业园区
代理机构 ：
北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
张宏伟
优先权 ：
CN202022524137.0
主分类号 ：
H01L33/22
IPC分类号 ：
H01L33/22 H01L33/24 H01L33/38 H01L33/00
法律状态
2021-12-14 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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