功率型氮化镓基发光二极管芯片
专利权的终止
摘要
本实用新型属于半导体芯片结构技术领域，涉及一种功率型氮化镓基发光二极管芯片，包括蓝宝石衬底、依次制作在其正面的N型氮化镓层、多量子阱、P型氮化镓层，其特征在于，所述蓝宝石衬底的背面刻有削顶的周期性三角倒金字塔微结构；P型氮化镓层的表面腐蚀有具有六角倒金字塔凹陷的微小绒面，并制作有5～50nm接触电极Ni/Au和600～2000nm反射金属Ag，在Ag反射金属上制作有Ni/Au P型电极；在N型氮化镓层上制作有Ti/Al/Ni/Au N型电极。本实用新型克服了p－GaN与空气界面对光的全内反射，增强光从芯片背面的出射几率。
基本信息
专利标题 ：
功率型氮化镓基发光二极管芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN200720096313.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2007-06-12
授权号 ：
CN201060874Y
授权日 ：
2008-05-14
发明人 ：
牛萍娟李艳玲李晓云刘宏伟王小丽
申请人 ：
天津工业大学
申请人地址 ：
300160天津市河东区成林道63号天津工业大学
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN200720096313.7
主分类号 ：
H01L33/00
IPC分类号 ：
H01L33/00
法律状态
2017-01-25 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101699578145
IPC(主分类) : H01L 33/00
专利号 : ZL2007200963137
申请日 : 20070612
授权公告日 : 20080514
终止日期 : 20150612
号牌文件序号 : 101699578145
IPC(主分类) : H01L 33/00
专利号 : ZL2007200963137
申请日 : 20070612
授权公告日 : 20080514
终止日期 : 20150612
2016-08-24 ：
文件的公告送达
号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101737619696
IPC(主分类) : H01L 33/00
专利号 : ZL2007200963137
专利申请号 : 2007200963137
收件人 : 唐山曹妃甸工大海宇光电科技股份有限公司
文件名称 : 专利权终止通知书
号牌文件序号 : 101737619696
IPC(主分类) : H01L 33/00
专利号 : ZL2007200963137
专利申请号 : 2007200963137
收件人 : 唐山曹妃甸工大海宇光电科技股份有限公司
文件名称 : 专利权终止通知书
2015-12-09 ：
文件的公告送达
号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101724721986
IPC(主分类) : H01L 33/00
专利号 : ZL2007200963137
专利申请号 : 2007200963137
收件人 : 唐山曹妃甸工大海宇光电科技股份有限公司
文件名称 : 缴费通知书
号牌文件序号 : 101724721986
IPC(主分类) : H01L 33/00
专利号 : ZL2007200963137
专利申请号 : 2007200963137
收件人 : 唐山曹妃甸工大海宇光电科技股份有限公司
文件名称 : 缴费通知书
2011-01-12 ：
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101060278217
IPC(主分类) : H01L 33/00
专利号 : ZL2007200963137
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 天津工业大学
变更后权利人 : 唐山曹妃甸工大海宇光电科技股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 300160 天津市河东区成林道63号天津工业大学
变更后权利人 : 063210 河北省唐山市曹妃甸工业区高新技术产业园B1-2
登记生效日 : 20101202
号牌文件序号 : 101060278217
IPC(主分类) : H01L 33/00
专利号 : ZL2007200963137
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 天津工业大学
变更后权利人 : 唐山曹妃甸工大海宇光电科技股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 300160 天津市河东区成林道63号天津工业大学
变更后权利人 : 063210 河北省唐山市曹妃甸工业区高新技术产业园B1-2
登记生效日 : 20101202
2008-05-14 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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